芯片的控制級和功率級都是由Vcc引腳供電，Vcc引腳通過一個電阻電容網(wǎng)絡(luò)與直流總線相連。在啟動階段，電容通過一個高阻值的電阻器充電，因此，只需幾百微安。由于功率雙極晶體貯存基極電流是在通過"Vcc充電網(wǎng)絡(luò)”連接Vcc引腳的電容上恢復(fù)的，因此，在工作階段，器件是自己給自己供電。VK06TL這項特殊功能允許使用功耗更小的電阻器，而且上電橋臂電源無需充電泵。還必須從連接次級繞組的SEC引腳觸發(fā)、接通這個器件。
需要指出的是，這個單片方法無需外部電阻器和連接器就實現(xiàn)了功率級電流檢測。此外，如上文所述，只需一個單片器件就可以集成一個溫度保護電路。
應(yīng)用于CFL的IC IR2520D與CCFL的TPS68000
IR2520D
照明控制IC的另一個主要部分,包括緊湊型熒光燈(CFL)與冷陰極熒光管(CCFL)。傳統(tǒng)的控制這種燈的電路是自振蕩類型的，并且對成本非常敏感。由于可靠性問題，自振蕩方案實際上阻礙了快速發(fā)展。
因HVJI技術(shù)主要被用于隔離高電壓電路和電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動信號電路。采用IR2520D，HVJI功能被擴展來實現(xiàn)必要的檢測功能。先前的IC要求一個分開的引腳用于某種檢測譬如直流總線欠壓、過流、燈絲開路或燈被移除。IR2520D采用HVJI技術(shù)和新控制算法，通過單一引腳來檢測所有要求的參數(shù)。然而，這個引腳是在COM端和高壓直流總線之間經(jīng)常交換的半橋中點，這意味著，檢測必須是在低端半橋開關(guān)導(dǎo)通時完成，而在半橋高端開關(guān)導(dǎo)通時電路必須能承受高壓，IR2520D用第三個內(nèi)部高壓MOSFET來達到這個功能。IR2520D使用新控制算法譬如“非零電壓開關(guān)(ZVS)保護”和“波峰檢測”來實現(xiàn)必要的鎮(zhèn)流器功能，其他的控制引腳用于設(shè)置最小的工作頻率和預(yù)熱時間。最后，再加上頻率振動功能，它通常把頻率轉(zhuǎn)移到幾千赫以上并回降到最小的頻率，從而來達到減少外部EMI濾波的需要。把所有這些功能集成在簡單的8引腳封裝內(nèi)，IR2520D的設(shè)計目標是應(yīng)用于CFL產(chǎn)品中。這種新解決方案將減少尺寸和CFL鎮(zhèn)流器的費用，提高制造能力，并提高可靠性以有助于CFL產(chǎn)品的采用和這個市場占額的進一步發(fā)展。圖3為IR2520D應(yīng)用于CFL示意圖。
圖3 應(yīng)用IR2520D IC于緊湊熒光燈(CFL)的示意圖
CCFL背光控制器
CCFL控制特點選用TPS68000高效移相全橋CCFL控制器。
TPS68000主要特點：輸入電壓范圍8V至30V;集成了門驅(qū)動的全橋技術(shù)，用于4-NMOS轉(zhuǎn)換;
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