為驅(qū)動電壓，?為工作頻率。
在使用頻率較高情況下，要使開關(guān)速度加快，必須有較大的驅(qū)動電流和小的輸入阻抗，在設(shè)計ZVS零電壓開關(guān)時，應(yīng)注意這個基本原則。一個比較完整的高頻無極燈電子鎮(zhèn)流器如圖(4)所示。
圖(4)中的高頻功率發(fā)生器采用圖(3)的他激式開關(guān)電路有著更多的優(yōu)點,核心部分集成化或模塊化之后裝配和調(diào)節(jié)就變得較為簡單,但由于某些研制開發(fā)單位投資力度不夠,或從制造成本角度考慮,大多數(shù)企業(yè)仍然采用了簡易式自激半橋振蕩電路.
以上只是反映無極燈技術(shù)的概貌,不能說是很全面.
三、技術(shù)展望
高頻無極燈技術(shù)正處于成長期,它的市場認知度也比較低,作為一種環(huán)保,長壽，節(jié)能的優(yōu)秀新光源，其技術(shù)和質(zhì)量仍需不斷提高和改進，才能更臻完美．首先是泡體的光效要進一步提高才能體現(xiàn)更好節(jié)能，現(xiàn)在國內(nèi)可至63－70LM/W左右，但與高壓鈉燈單項指標(biāo)光效相比，仍然較低；光衰曲線善未完成6萬小時記錄，但從３萬小時實測記錄看來，其趨勢是樂觀的．另一方面，目前作為點光源式低壓氣體高頻無極燈的電功率仍未突破２５０Ｗ，實際標(biāo)稱功率僅為１６５Ｗ，用于路燈其光通量難以與４００Ｗ高壓鈉燈或金鹵燈相匹敵．電功率的提高受泡體腔內(nèi)功率磁體發(fā)熱的制約，導(dǎo)熱處理成為難題；而功率電子器件ＭＯＳＦＥＴ的選取和高頻段使用也帶來一系列的技術(shù)問題，這也是高頻電子鎮(zhèn)流器的關(guān)鍵技術(shù)．
我們知道，功率ＭＯＳＦＥＴ的角電容充放電對開關(guān)速度的影響極大，圖（５）中：
輸 出 電 容 Ｃss＝ＣDS，
反向渡越電容Cirr=CGD,
輸入電容Ｃiss=CGS+CGD
開關(guān)時間主要由柵源極間及柵漏極間結(jié)電容充放電時間所決定，時間常數(shù)為結(jié)電容與信號源阻抗的乘積． 設(shè)計驅(qū)動電路的目的就是要使柵極信號迅速達到導(dǎo)通電平,關(guān)斷時驅(qū)動電壓要迅速撤離,使之快降至關(guān)閉門檻VGS(th)以下，這時ＭＯＳＦＥＴ的溝道電阻很快從Ｒon→∞,開關(guān)損耗最小．開關(guān)損耗若大， ＭＯＳＦＥＴ的結(jié)溫溫升也快，而通態(tài)電阻Ｒon隨漏極Ｄ電流變化和溫度變化呈正系數(shù)，功率ＭＯＳＦＥＴ的這種勢態(tài)必須加以注意．高頻電子鎮(zhèn)流器發(fā)展至今，可以說要點亮一只合格的無極燈泡，已非難事，但要做到高效，安全可靠地工作，仍有許多細分課題需要研究，今后的電路會繼續(xù)向簡易式發(fā)展，其一是在原來分離元件半橋自激振蕩電路的基礎(chǔ)上改進、拓補，創(chuàng)造出成本更加低廉、更可靠效率、更高的新型開關(guān)電路，另一途徑是將非常完善的復(fù)雜電路模塊化，變成簡易式電路．電功率將會繼續(xù)提高，電路盒的尺寸將會被最大限度地縮小．
而研究大功率高光效的金屬鹵化物高頻無極燈是今后發(fā)展的另一個大方向，國外研究表明，無極金鹵燈的系統(tǒng)光效已達１５１ＬＭ／Ｗ．由于無極金鹵燈的使用頻率目前定為１３.５６ＭＨＺ，ＥＭＣ的抑制技術(shù)要求高，技術(shù)難度大，但終歸是可以克服的。 上一頁 [1] [2] [3]
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