HJT 電池工藝步驟簡(jiǎn)化，TCO 薄膜沉積分 PVD/RPD 兩種工藝。HJT電池工藝包括清洗制絨、非晶硅薄膜沉積、TCO 薄膜沉積以及絲網(wǎng)印刷四步，其中TCO薄膜沉積分 PVD/RPD 兩種工藝。
PVD 磁控濺射工藝用被電磁場(chǎng)加速的高能粒子(Ar+)轟擊靶材，靶材表面原子獲得能量逸出，沉積在襯底表面形成氧化物薄膜。
RPD 工藝?yán)玫入x子體槍產(chǎn)生氧的等離子體，讓其進(jìn)入生長(zhǎng)腔后，在磁場(chǎng)作用下轟擊靶材，靶材溫度升高后生化形成蒸汽實(shí)現(xiàn)薄膜沉積。
目前主流技術(shù)路線是用 PVD工藝，相較于PVD，RPD的效率和質(zhì)量更高，但是受制于日本住友公司對(duì)設(shè)備和靶材的壟斷，成本較高。
靶材是 TCO 薄膜沉積的關(guān)鍵，ITO 靶材為最佳選擇。不論是 PVD 工藝還是RPD工藝，靶材都是必不可少的材料。目前市場(chǎng)化的靶材有 AZO 和 ITO 等。AZO材料價(jià)格較為經(jīng)濟(jì)，但其導(dǎo)電性較 ITO 相差較大，通過(guò)厚鍍膜來(lái)彌補(bǔ)導(dǎo)電性將極度降低光的透過(guò)率，將 大幅降低電池特性。ITO靶材就是氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經(jīng)過(guò)一系列的生 產(chǎn)工藝加工成型，再高溫氣氛燒結(jié)(1600度，通氧氣燒結(jié))形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體，通過(guò) 調(diào)整氧化銦和氧化錫粉末的比例，可以提高 HJT 電池的轉(zhuǎn)換效率。
ITO 靶材以進(jìn)口為主，國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)。全球 ITO 靶材市場(chǎng)主要供應(yīng)商有日本日礦、 三井礦業(yè)、康寧、優(yōu)美科等，其壟斷了全球 80%的中高端市場(chǎng)份額和 90%的全球晶圓制 造靶材市場(chǎng)份額。我國(guó)ITO靶材大量依賴進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)ITO靶材主要集中在中低端領(lǐng)域， 根據(jù)華經(jīng)情報(bào)網(wǎng)數(shù)據(jù)，2020 年市場(chǎng)份額僅在 30%左右。經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，目前我國(guó)形成 了一批具備 ITO 靶材量產(chǎn)能力的企業(yè)，市場(chǎng)也開(kāi)始逐漸導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)靶材，靶材進(jìn)口替代進(jìn) 程有望不斷推進(jìn)。
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